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肇慶半導體廢水處理方案
某公司是生產多晶體硅半導體材料的專業公司。該公司多晶硅生產裝置所產生的酸性廢水、硅棒高純水洗產生的廢水、含硅廢水、浸蝕酸廢液等需要處理才能排放，處理后的廢水可以回用于噴淋塔、冷卻塔清洗等。
設計處理規模為：360m3/d。
根據業主提供污水水質，數據如下（單位為mg/l）：
表1 廢水水質水量一覽表
| 類型 | COD（mg/l） | SS（mg/l） | 備注 |
| 半導體廢水 | ≤600ppm | ≤400 |
根據業主要求規劃，廢水經處理后出水的排放標準執行廣東省地方標準《水污染物排放限值》（DB44/26-2001）第二時段一級標準和《城市污水的水質標準與再生水利用》（GB/T19923-05）之較嚴者，具體相關指標如下表2所示（單位為mg/l）：
表2 出水指標排放標準（單位mg/l，除pH外）
| 序號 | 參數 | 排放標準 |
| 1 | PH | 6—9 |
| 2 | SS | ≤10 |
| 3 | CODcr | ≤60 |
| 4 | BOD5 | ≤10 |
| 5 | 總銅 | ≤0.5 |
廢水處理系統（MCR）出水可以達標或回用作為雜用水，也可經過回用水處理系統進行處理，回用水系統出水水質可優于自來水水質要求，滿足超純水系統進水水質。
廢水經過一級物化處理后，達到表三標準排放的廢水，主要成份含量：Cu≤5ppm、硅粉等微量固形物、懸浮物；需要進行膜處理才能達到回用水質指標。
①介質濾器、活性炭濾器和其它制程產生的水進入廢水處理系統調節池，與工業廢水綜合后進行物化沉淀處理。
②工業廢水經過“調節池+絮凝反應池+斜管沉淀池+MCR膜化學反應器”處理，去除殘留的微量固形物、懸浮物。經MCR產水泵到收集水箱。水量：18m3/h（360m3/D）。
③產水經過UV防止胞外聚合物對后續處理的污染。經炭濾處理去除小分子有機物后，進入RO系統進行一次預脫鹽：
④純水制備產生的RO濃水，水質濁度低，含鹽量相對較高。進入濃水收集水箱，與工業廢水RO系統產生的濃水進行混合。進行EDI（膜分鹽系統）處理后，產生的淡液經過 PH調整后，進行膜回收處理后回用。
⑤EDI濃水收集后，作為介質濾器的反洗水；中央空調冷卻循環補水，多余水作為雜用水，或溢流到應急水池廢水處理。
表3 廢水膜處理和濃水回收減量數據表
| 水質類型 | 水量 (m3/h) | 給水TDS（mg/L） | 回收水量(m3/h) | 濃水量(m3/h) | 效率 % | 濃水去向 |
| MCR膜處理 | 17.9 | 400 | 17 | 0.9 | 污泥濃縮池 | |
| 廢水反滲透回收系統 | 17 | 400 | 13.6 | 3.4 | 80 | 濃水收集池 |
| 分鹽膜處理系統 | 8.8 | 3000 | 8.1 | 0.7 | 92 | 委外或排放 |
| 淡液回收處理系統 | 8.1 | 2000 | 6.9 | 1.3 | 85 | 委外或排放 |
| EDI濃水 | 1.8 | 介質反洗水，循環水補水 | ||||
| 回收水 | 20.5 | 1.9 | 89 |
